InGaAs APD модулдары

Модел: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Кыска сүрөттөмө:

Бул индий галлий арсенидинин көчкү фотодиодунун алдын ала күчөтүү схемасы бар модулу, алсыз ток сигналын күчөтүүгө жана фотон-фотоэлектрдик-сигналдын күчтөнүү процессине жетүү үчүн чыңалуу сигналына айландырууга мүмкүндүк берет.

цитата алуу Жүктөп алуу

Техникалык параметр

Продукт тегдери

Өзгөчөлүктөрү

Алдыңкы бети жарыктандырылган жалпак чип
Жогорку ылдамдыктагы жооп
Детектордун жогорку сезгичтиги

Тиркемелер

Лазердик диапазон
Лазердик байланыш
Лазердик эскертүү

Фотоэлектрдик параметр（@Ta=22±3℃)

№	Пакет категориясы	Фотосезгич беттин диаметри (мм)	Спектрдик жооп диапазону (нм)	Бузулуу чыңалуу （V）	Жоопкерчилик M=10 λ=1550нм (кВ/Вт)	Өсүү мезгили （ns）	өткөрүү жөндөмдүүлүгү (МГц)	Температура коэффициенти T_a= -40℃～85℃ （V/℃）	Ызы-чуу эквиваленттүү кубаттуулугу (pW/√Hz)	Концентрдүүлүк (мкм)	Башка өлкөлөрдө түрү алмаштырылган
GD6510Y	TO-8	0.2	1000~1700	30～70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B