850нм Si PIN модулдары

Модел: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Кыска сүрөттөмө:

Бул 850нм Si PIN фотодиод модулу, алдын ала күчөтүү схемасы бар, ал алсыз ток сигналын күчөтүүгө жана фотон-фотоэлектрдик-сигналдын күчөтүү процессин өзгөртүү процессине жетүү үчүн чыңалуу сигналына айландырууга мүмкүндүк берет.

цитата алуу Жүктөп алуу

Техникалык параметр

Продукт тегдери

Өзгөчөлүктөрү

Жогорку ылдамдыктагы жооп
Жогорку сезгичтик

Тиркемелер

Лазердик сактагыч

Фотоэлектрдик параметр（@Ta=22±3℃）

№	Пакет категориясы	Фотосезгич беттин диаметри (мм)	Жоопкерчилик	Өсүү мезгили (ns)	Динамикалык диапазон (дБ)	Иштөө чыңалуусу (V)	Ызы-чуу чыңалуусу (мВ)	Эскертүүлөр
№	Пакет категориясы	Фотосезгич беттин диаметри (мм)	λ=850нм，φ_e=1μW		λ=850нм	Иштөө чыңалуусу (V)	Ызы-чуу чыңалуусу (мВ)	Эскертүүлөр
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Чыгуу бурчу: 0°, өткөрүмдүүлүк 830нм~910нм ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Эскертүү: GD4213Y тест жүктөө 50Ω, калгандары 1MΩ